红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器 | |
李敬; 黄永箴; 肖金龙![]() ![]() | |
2009 | |
Source Publication | 光电子·激光
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Volume | 20Issue:10Pages:1278-1281 |
Abstract | 利用普通光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器,光功率电流曲线表明,器件实现了 200K 的低温激射.对边长为10μm、输出波导长为30μm的正方形微腔激光器,室温测量得到的纵模模式间距为1.3 nm,所对应的是由输出波导和正方形腔组成的F-P腔的F-P模式.采用二维时域有限差分法(FDTD),模拟研究了侧壁粗糙对正方形腔模式品质因子的影响. |
metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目,国家重点基础研究计划资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:3879643 |
Date Available | 2011-08-16 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21562 |
Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李敬,黄永箴,肖金龙,等. 红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器[J]. 光电子·激光,2009,20(10):1278-1281. |
APA | 李敬,黄永箴,肖金龙,杜云,&樊中朝.(2009).红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器.光电子·激光,20(10),1278-1281. |
MLA | 李敬,et al."红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器".光电子·激光 20.10(2009):1278-1281. |
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红光GaInP_AlGaInP正方形微腔(495KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
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