SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
唐龙娟; 郑新和; 张东炎; 董建荣; 王辉; 杨辉
2011
Source Publication科学通报
Volume56Issue:2Pages:174-178
Abstract提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10%
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,苏州高效太阳能电池技术重点实验室
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4125115
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21560
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
唐龙娟,郑新和,张东炎,等. 含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作[J]. 科学通报,2011,56(2):174-178.
APA 唐龙娟,郑新和,张东炎,董建荣,王辉,&杨辉.(2011).含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作.科学通报,56(2),174-178.
MLA 唐龙娟,et al."含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作".科学通报 56.2(2011):174-178.
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