SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
高阻氮化镓外延层的异常光吸收
刘文宝; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 朱建军; 张书明; 杨辉
2010
Source Publication物理学报
Volume59Issue:11Pages:8048-8051
Abstract通过光伏谱(PV)的测量发现,采用MOCVD方法生长的非故意掺杂GaN外延膜,电阻较大的样品在带隙内有明显的异常光吸收.吸收峰的能量位置表明这种异常吸收可能与激子有关.在这些高阻样品上制作的MSM型探测器,当入射光照射不同位置,其光谱响应显示了区域不一致性.20V偏压下反向偏置结处的光谱响应比正向偏置结处的光谱响应大一个数量级左右,峰值响应的位置也发生明显红移现象,红移的能量约为28meV,并且几乎不随环境温度变化.根据MSM结构的电场分布不均以及带边和激子响应对电场的依赖性不同,MSM型探测器的这种区域响应不一致性可以得到很好的解释
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4069999
Date Available2011-08-16
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21538
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
刘文宝,赵德刚,江德生,等. 高阻氮化镓外延层的异常光吸收[J]. 物理学报,2010,59(11):8048-8051.
APA 刘文宝.,赵德刚.,江德生.,刘宗顺.,朱建军.,...&杨辉.(2010).高阻氮化镓外延层的异常光吸收.物理学报,59(11),8048-8051.
MLA 刘文宝,et al."高阻氮化镓外延层的异常光吸收".物理学报 59.11(2010):8048-8051.
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