SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备
杨广华; 毛陆虹; 黄春红; 王伟; 郭维廉
2010
Source Publication光电子·激光
Volume21Issue:5Pages:644-646
Abstract采用新加坡半导体制备有限公司的0. 35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P~+-N~+-P~+-P~+-P~+-N~+-P~+-P~+-P~+-N~+-P~+叉指结构形成U型器件, 外部的两个P~+区为保护环, 在相邻的内部两个P~+区之间使用多晶硅作为栅极来调控LED的正偏发光。使用奥林巴斯IC显示镜测得了硅LED实际器件的显微图形, 并对器件进行了电学的正反向I-V特性测量。器件在室温下正向偏置, 在100~140 mA电流下对器件进行了光功率的检测, 发光峰值在1089 nm处。结果表明, 器件发光功率随着栅控电压偏置电流的增加而增加。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助课题,天津市基础研究重点项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3901840
Date Available2011-08-16
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21530
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
杨广华,毛陆虹,黄春红,等. 标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备[J]. 光电子·激光,2010,21(5):644-646.
APA 杨广华,毛陆虹,黄春红,王伟,&郭维廉.(2010).标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备.光电子·激光,21(5),644-646.
MLA 杨广华,et al."标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备".光电子·激光 21.5(2010):644-646.
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