SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制
周志文; 贺敬凯; 王瑞春; 李成; 余金中
2010
Source Publication光电子·激光
Volume21Issue:11Pages:1609-1613
Abstract研制了在SOI衬底上工作于近红外波段的垂直入射GePIN光电探测器.采用低温Ge缓冲层技术,在超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)上生长探测器材料.测试表明,器件的暗电流主要来源于表面漏电流,暗电流密度随着尺寸的增加而减小,在2V偏压时暗电流密度可达17.2mA/cm2;器件在波长1.31μm处的响应度高达0.22A/W,对应量子效率为20.8%.无偏压时,器件的响应光谱在1.2~1.6μm波长范围内观察到4个共振增强峰,分别位于1.25,1.35,1.45和1.55μm左右,峰值半高宽约为50nm,共振增强效应是由SOI衬底的高反射率引起的.采用传输矩阵法模拟的响应光谱与实验测量结果吻合良好
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础发展研究计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4050509
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Cited Times:7[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21524
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
周志文,贺敬凯,王瑞春,等. SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制[J]. 光电子·激光,2010,21(11):1609-1613.
APA 周志文,贺敬凯,王瑞春,李成,&余金中.(2010).SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制.光电子·激光,21(11),1609-1613.
MLA 周志文,et al."SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制".光电子·激光 21.11(2010):1609-1613.
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