SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
slot波导包覆层对功率密度的影响
宋世娇; 安俊明; 胡雄伟
2010
Source Publication半导体光电
Volume31Issue:5Pages:705-708
Abstract理论模拟研究了硅基绝缘(SOI)的slot波导中槽内限制功率与slot波导的结构参数以及包覆层折射率的关系.结果表明,如果包覆层的折射率偏离衬底SiO2的折射率,相同参数下的slot波导的传输损耗大于包覆层为SiO2的结构的传输损耗.分析表明,如果包层与衬底折射率不同,限制的光功率会从slot缝隙中渗透到折射率较高的衬底或者包层中,从而引起能量的损耗.理论模拟得到了在缝隙宽度为0.12μm的情况下, slot波导槽内最大的光功率限制为28.54%,这个值包含了纳米线波导与slot波导直接耦合产生的耦合损耗以及slot波导自身的传输损耗
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家"863"计划项目,国家自然科学基金项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4058691
Date Available2011-08-16
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21522
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
宋世娇,安俊明,胡雄伟. slot波导包覆层对功率密度的影响[J]. 半导体光电,2010,31(5):705-708.
APA 宋世娇,安俊明,&胡雄伟.(2010).slot波导包覆层对功率密度的影响.半导体光电,31(5),705-708.
MLA 宋世娇,et al."slot波导包覆层对功率密度的影响".半导体光电 31.5(2010):705-708.
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