SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
SiO_x:Er薄膜材料光致发光特性的研究
沈海波; 郭亨群; 徐骏; 陈坤基; 王启明
2010
Source Publication半导体技术
Volume35Issue:9Pages:877-880,938
Abstract采用射频磁控反应溅射技术,以Er_2O_3和Si为靶材,制备了SiO_x:Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er~(3+)在 1 530, 1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er~(3+)的发光. 研究了退火温度和时间对SiO_x:Er薄膜光致发光的影响,发现Er_2O_3与Si面积比为1:1时, 1 100℃下20 min退火为样品的最佳退火条件. 采用XRD和材料光吸收测试对样品结构和光学性质进行了研究,得到样品中Si晶粒大小为1.6 nm,样品的光学带隙为1.56 eV. 对3种不同Er_2O_3与Si面积比的SiO_x:Er薄膜材料进行研究,得到Er_2O_3与Si面积比为1:3为样品的最佳配比,对薄膜材料发光现象进行了探讨
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展"973"计划,集成光电子国家重点联合实验室开放课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3981893
Date Available2011-08-16
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21518
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
沈海波,郭亨群,徐骏,等. SiO_x:Er薄膜材料光致发光特性的研究[J]. 半导体技术,2010,35(9):877-880,938.
APA 沈海波,郭亨群,徐骏,陈坤基,&王启明.(2010).SiO_x:Er薄膜材料光致发光特性的研究.半导体技术,35(9),877-880,938.
MLA 沈海波,et al."SiO_x:Er薄膜材料光致发光特性的研究".半导体技术 35.9(2010):877-880,938.
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