| 8通道-1.6nm Si纳米线阵列波导光栅的设计与制作 | |
赵雷 ; 安俊明; 张家顺; 宋世娇; 吴远大; 胡雄伟
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| 2010 | |
| Source Publication | 光电子·激光
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| Volume | 21Issue:11Pages:1589-1592 |
| Abstract | 设计了基于绝缘层上硅(SOI)材料的8通道Si纳米线阵列波导光栅(AWG),器件的通道间隔为1.6nm,面积为420μm×130μm.利用传输函数法模拟了器件传输谱,结果表明,器件的通道间隔为1.6nm,通道间串扰为17dB.给出了结合电子束光刻(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀技术制备器件的详细流程.光谱测试结果分析表明,器件通道间隔为1.3~1.6nm,通道串扰为3dB,中心通道损耗为11.6dB |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目,科技部"863"计划资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:4050504 |
| Date Available | 2011-08-16 |
| Citation statistics |
Cited Times:1[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21506 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 赵雷,安俊明,张家顺,等. 8通道-1.6nm Si纳米线阵列波导光栅的设计与制作[J]. 光电子·激光,2010,21(11):1589-1592. |
| APA | 赵雷,安俊明,张家顺,宋世娇,吴远大,&胡雄伟.(2010).8通道-1.6nm Si纳米线阵列波导光栅的设计与制作.光电子·激光,21(11),1589-1592. |
| MLA | 赵雷,et al."8通道-1.6nm Si纳米线阵列波导光栅的设计与制作".光电子·激光 21.11(2010):1589-1592. |
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| 8通道_1_6nmSi纳米线阵列波导光栅（505KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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