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高迁移率GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As二维电子气的微波回旋共振研究 | |
杨威; 罗海辉; 钱轩![]() | |
2010 | |
Source Publication | 红外与毫米波学报
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Volume | 29Issue:2Pages:87-90,122 |
Contribution Rank | 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划(973)项目 |
metadata_83 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
Subject Area | 半导体物理 |
Indexed By | CSCD |
CSCD ID | CSCD:3856578 |
Date Available | 2011-08-04 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21462 |
Collection | 半导体超晶格国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 杨威,罗海辉,钱轩,等. 高迁移率GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As二维电子气的微波回旋共振研究[J]. 红外与毫米波学报,2010,29(2):87-90,122. |
APA | 杨威,罗海辉,钱轩,&姬扬.(2010).高迁移率GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As二维电子气的微波回旋共振研究.红外与毫米波学报,29(2),87-90,122. |
MLA | 杨威,et al."高迁移率GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As二维电子气的微波回旋共振研究".红外与毫米波学报 29.2(2010):87-90,122. |
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高迁移率GaAs_Al_0_35_Ga_(501KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
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