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SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 会议论文

题名: Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
作者: 阎Zhou HY (Zhou Huiying);  Qu SC (Qu Shengchun);  Jin P (Jin Peng);  Xu B (Xu Bo);  Ye XL (Ye Xiaoling);  Liu JP (Liu Junpeng);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
出版日期: 2011
会议日期: AUG 08-13, 2010
会议名称: 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)/14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE14)
会议文集: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_会议论文

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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation.pdf584KbAdobe PDF 联系获取全文


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阎Zhou HY (Zhou Huiying); Qu SC (Qu Shengchun); Jin P (Jin Peng); Xu B (Xu Bo); Ye XL (Ye Xiaoling); Liu JP (Liu Junpeng); Wang ZG (Wang Zhanguo).Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575.2011
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