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题名: Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
作者: Wei M (Wei Meng);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Pan X (Pan Xu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang CM (Wang Cuimei);  Zhang ML (Zhang Minglan);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
出版日期: 2011
会议日期: NOV 02-05, 2010
会议名称: 3rd International Photonics and OptoElectronics Meetings
会议文集: 3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011
专题: 半导体材料科学中心_会议论文

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Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate.pdf668KbAdobe PDF 联系获取全文


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Wei M (Wei Meng); Wang XL (Wang Xiaoliang); Pan X (Pan Xu); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang CM (Wang Cuimei); Zhang ML (Zhang Minglan); Wang ZG (Wang Zhanguo).Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate.3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011.2011
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