Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

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SEMI OpenIR > 半导体材料科学中心 > 期刊论文

题名:	Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
作者:	Wei M; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Pan X; Hou QF; Wang ZG
发表日期:	2011
KOS主题词:	stress control; buffer; Layers; Heterostructures; INTERLAYERS; Silicon
刊名:	CHINESE PHYSICS LETTERS
专题:	半导体材料科学中心_期刊论文

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推荐引用方式：

Wei M; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Pan X; Hou QF; Wang ZG.Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition,CHINESE PHYSICS LETTERS,2011,28(4):Article no.48102

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