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题名: Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
作者: Wei M;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Pan X;  Hou QF;  Wang ZG
发表日期: 2011
KOS主题词: stress control;  buffer;  Layers;  Heterostructures;  INTERLAYERS;  Silicon
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 半导体材料科学中心_期刊论文

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推荐引用方式:
Wei M; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Pan X; Hou QF; Wang ZG.Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition,CHINESE PHYSICS LETTERS,2011,28(4):Article no.48102
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