SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究
李志聪
学位类型博士
导师王国宏 ; 王良臣
2011
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业微电子学与固体电子学
学科领域半导体材料
公开日期2011-06-07
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20774
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李志聪. 高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011.
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