MBE Inx Ga（1-x） As/GaAs（001）系统晶格失配的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	MBE Inx Ga（1-x） As/GaAs（001）系统晶格失配的研究
	王玉田; 李成基; 任庆余
	1989
Source Publication	半导体学报
Volume	10 Issue:8 Pages:637
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20635
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王玉田,李成基,任庆余. MBE Inx Ga（1-x） As/GaAs（001）系统晶格失配的研究[J]. 半导体学报,1989,10(8):637.
APA	王玉田,李成基,&任庆余.(1989).MBE Inx Ga（1-x） As/GaAs（001）系统晶格失配的研究.半导体学报,10(8),637.
MLA	王玉田,et al."MBE Inx Ga（1-x） As/GaAs（001）系统晶格失配的研究".半导体学报 10.8(1989):637.

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