Si（113）表面电子结构的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Si（113）表面电子结构的研究
	张瑞勤; 王家俭; 戴国才; 吴汲安; 张敬平; 邢益荣
	1989
Source Publication	半导体学报
Volume	10 Issue:9 Pages:645
metadata_83	山东大学;中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:85619
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:4[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20633
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张瑞勤,王家俭,戴国才,等. Si（113）表面电子结构的研究[J]. 半导体学报,1989,10(9):645.
APA	张瑞勤,王家俭,戴国才,吴汲安,张敬平,&邢益荣.(1989).Si（113）表面电子结构的研究.半导体学报,10(9),645.
MLA	张瑞勤,et al."Si（113）表面电子结构的研究".半导体学报 10.9(1989):645.

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