Si（113）表面电子结构的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Si（113）表面电子结构的研究
	张瑞勤; 王家俭; 戴国才; 吴汲安; 张敬平; 邢益荣
	1989
Source Publication	半导体学报
Volume	10 Issue:9 Pages:645
metadata_83	山东大学;中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:85619
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20633
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张瑞勤,王家俭,戴国才,等. Si（113）表面电子结构的研究[J]. 半导体学报,1989,10(9):645.
APA	张瑞勤,王家俭,戴国才,吴汲安,张敬平,&邢益荣.(1989).Si（113）表面电子结构的研究.半导体学报,10(9),645.
MLA	张瑞勤,et al."Si（113）表面电子结构的研究".半导体学报 10.9(1989):645.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库