用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物
	姚文卿; Ryssed Heiner
	1989
Source Publication	半导体学报
Volume	10 Issue:9 Pages:667
metadata_83	中科院半导体所;University Erlangen-Nurnberg
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:85653
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20607
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	姚文卿,Ryssed Heiner. 用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物[J]. 半导体学报,1989,10(9):667.
APA	姚文卿,&Ryssed Heiner.(1989).用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物.半导体学报,10(9),667.
MLA	姚文卿,et al."用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物".半导体学报 10.9(1989):667.

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