用于半导体器件瞬态特性研究的大幅度矩形纳秒脉冲发生器

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	用于半导体器件瞬态特性研究的大幅度矩形纳秒脉冲发生器
	周旋; 鲍秉乾; 李强; 李锦林
	1989
Source Publication	半导体学报
Volume	10 Issue:9 Pages:688
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:85656
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20603
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	周旋,鲍秉乾,李强,等. 用于半导体器件瞬态特性研究的大幅度矩形纳秒脉冲发生器[J]. 半导体学报,1989,10(9):688.
APA	周旋,鲍秉乾,李强,&李锦林.(1989).用于半导体器件瞬态特性研究的大幅度矩形纳秒脉冲发生器.半导体学报,10(9),688.
MLA	周旋,et al."用于半导体器件瞬态特性研究的大幅度矩形纳秒脉冲发生器".半导体学报 10.9(1989):688.

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