硅中Pd-B络合物性质的理论研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	硅中Pd-B络合物性质的理论研究
	吴汲安; 周洁; 张大仁
	1989
Source Publication	半导体学报
Volume	10 Issue:6 Pages:434
metadata_83	中科院半导体所;中科院生态环境研究中心
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:85694
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20587
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	吴汲安,周洁,张大仁. 硅中Pd-B络合物性质的理论研究[J]. 半导体学报,1989,10(6):434.
APA	吴汲安,周洁,&张大仁.(1989).硅中Pd-B络合物性质的理论研究.半导体学报,10(6),434.
MLA	吴汲安,et al."硅中Pd-B络合物性质的理论研究".半导体学报 10.6(1989):434.

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