亚微米栅长调制掺杂场效应管（MODFET）的制造

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	亚微米栅长调制掺杂场效应管（MODFET）的制造
	杨玉芬; 陈宗圭; 张矩
	1989
Source Publication	半导体学报
Volume	10 Issue:3 Pages:192
metadata_83	中科院半导体所;北京理工大学
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:85728
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20575
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	杨玉芬,陈宗圭,张矩. 亚微米栅长调制掺杂场效应管（MODFET）的制造[J]. 半导体学报,1989,10(3):192.
APA	杨玉芬,陈宗圭,&张矩.(1989).亚微米栅长调制掺杂场效应管（MODFET）的制造.半导体学报,10(3),192.
MLA	杨玉芬,et al."亚微米栅长调制掺杂场效应管（MODFET）的制造".半导体学报 10.3(1989):192.

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