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| MBE[（AlxGa（1-x）As）l（GaAs）m]n/GaAs（001）超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究 | |
| 姜力; 吴苍生; 王玉田; 高维宾 | |
| 1989 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 10Issue:2Pages:86 |
| metadata_83 | 中科院高能物理所;中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20555 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 姜力,吴苍生,王玉田,等. MBE[（AlxGa（1-x）As）l（GaAs）m]n/GaAs（001）超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究[J]. 半导体学报,1989,10(2):86. |
| APA | 姜力,吴苍生,王玉田,&高维宾.(1989).MBE[（AlxGa（1-x）As）l（GaAs）m]n/GaAs（001）超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究.半导体学报,10(2),86. |
| MLA | 姜力,et al."MBE[（AlxGa（1-x）As）l（GaAs）m]n/GaAs（001）超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究".半导体学报 10.2(1989):86. |
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