干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展
	朱洪亮
	1989
Source Publication	科学通报
Volume	34 Issue:22 Pages:1681
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:96195
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20529
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	朱洪亮. 干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展[J]. 科学通报,1989,34(22):1681.
APA	朱洪亮.(1989).干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展.科学通报,34(22),1681.
MLA	朱洪亮."干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展".科学通报 34.22(1989):1681.

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