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干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展 | |
朱洪亮![]() | |
1989 | |
Source Publication | 科学通报
![]() |
Volume | 34Issue:22Pages:1681 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:96195 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20529 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 朱洪亮. 干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展[J]. 科学通报,1989,34(22):1681. |
APA | 朱洪亮.(1989).干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展.科学通报,34(22),1681. |
MLA | 朱洪亮."干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展".科学通报 34.22(1989):1681. |
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