氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应
	陈维德; Bender H; Maes H E
	1990
Source Publication	半导体学报
Volume	11 Issue:6 Pages:441
metadata_83	中科院半导体所;比利时大学
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:112357
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20435
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈维德,Bender H,Maes H E. 氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应[J]. 半导体学报,1990,11(6):441.
APA	陈维德,Bender H,&Maes H E.(1990).氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应.半导体学报,11(6),441.
MLA	陈维德,et al."氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应".半导体学报 11.6(1990):441.

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