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氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应 | |
陈维德; Bender H; Maes H E | |
1990 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 11Issue:6Pages:441 |
metadata_83 | 中科院半导体所;比利时大学 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:112357 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20435 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈维德,Bender H,Maes H E. 氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应[J]. 半导体学报,1990,11(6):441. |
APA | 陈维德,Bender H,&Maes H E.(1990).氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应.半导体学报,11(6),441. |
MLA | 陈维德,et al."氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应".半导体学报 11.6(1990):441. |
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