SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
关于AlGaAs:Si中DX中心的新观点
李名复; 贾英波; 周洁; 高季林; 于鑫
1990
Source Publication半导体学报
Volume11Issue:2Pages:81
metadata_83中国科学技术大学北京研究生院;中科院半导体所;美国加州大学柏克莱分校
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:112396
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20413
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李名复,贾英波,周洁,等. 关于AlGaAs:Si中DX中心的新观点[J]. 半导体学报,1990,11(2):81.
APA 李名复,贾英波,周洁,高季林,&于鑫.(1990).关于AlGaAs:Si中DX中心的新观点.半导体学报,11(2),81.
MLA 李名复,et al."关于AlGaAs:Si中DX中心的新观点".半导体学报 11.2(1990):81.
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