Si（100）-As表面纯化作用和氧吸附

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Si（100）-As表面纯化作用和氧吸附
	钟战天; 王大文; 范越; 李承芳
	1990
Source Publication	半导体学报
Volume	11 Issue:2 Pages:104
metadata_83	中科院半导体所;清华大学
Subject Area	半导体化学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:112399
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:2[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20407
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	钟战天,王大文,范越,等. Si（100）-As表面纯化作用和氧吸附[J]. 半导体学报,1990,11(2):104.
APA	钟战天,王大文,范越,&李承芳.(1990).Si（100）-As表面纯化作用和氧吸附.半导体学报,11(2),104.
MLA	钟战天,et al."Si（100）-As表面纯化作用和氧吸附".半导体学报 11.2(1990):104.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库