Si（100）-As表面纯化作用和氧吸附

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Si（100）-As表面纯化作用和氧吸附
	钟战天; 王大文; 范越; 李承芳
	1990
Source Publication	半导体学报
Volume	11 Issue:2 Pages:104
metadata_83	中科院半导体所;清华大学
Subject Area	半导体化学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:112399
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20407
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	钟战天,王大文,范越,等. Si（100）-As表面纯化作用和氧吸附[J]. 半导体学报,1990,11(2):104.
APA	钟战天,王大文,范越,&李承芳.(1990).Si（100）-As表面纯化作用和氧吸附.半导体学报,11(2),104.
MLA	钟战天,et al."Si（100）-As表面纯化作用和氧吸附".半导体学报 11.2(1990):104.

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