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采用CH4/H2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究 | |
李建中; 陈纪瑛 | |
1991 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 12Issue:4Pages:231 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体化学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20331 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李建中,陈纪瑛. 采用CH4/H2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究[J]. 半导体学报,1991,12(4):231. |
APA | 李建中,&陈纪瑛.(1991).采用CH4/H2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究.半导体学报,12(4),231. |
MLA | 李建中,et al."采用CH4/H2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究".半导体学报 12.4(1991):231. |
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