采用CH4/H2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	采用CH4/H2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究
	李建中; 陈纪瑛
	1991
Source Publication	半导体学报
Volume	12 Issue:4 Pages:231
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体化学
Indexed By	CSCD
Language	中文
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20331
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	李建中,陈纪瑛. 采用CH4/H2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究[J]. 半导体学报,1991,12(4):231.
APA	李建中,&陈纪瑛.(1991).采用CH4/H2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究.半导体学报,12(4),231.
MLA	李建中,et al."采用CH4/H2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究".半导体学报 12.4(1991):231.

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