用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究
	姚振钰; 任治璋; 王向明; 刘志凯; 黄大定; 秦复光; 林兰英
	1992
Source Publication	半导体学报
Volume	13 Issue:8 Pages:518
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20253
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	姚振钰,任治璋,王向明,等. 用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究[J]. 半导体学报,1992,13(8):518.
APA	姚振钰.,任治璋.,王向明.,刘志凯.,黄大定.,...&林兰英.(1992).用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究.半导体学报,13(8),518.
MLA	姚振钰,et al."用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究".半导体学报 13.8(1992):518.

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