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用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究 | |
姚振钰; 任治璋; 王向明; 刘志凯; 黄大定; 秦复光; 林兰英 | |
1992 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 13Issue:8Pages:518 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20253 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 姚振钰,任治璋,王向明,等. 用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究[J]. 半导体学报,1992,13(8):518. |
APA | 姚振钰.,任治璋.,王向明.,刘志凯.,黄大定.,...&林兰英.(1992).用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究.半导体学报,13(8),518. |
MLA | 姚振钰,et al."用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究".半导体学报 13.8(1992):518. |
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