Si（112）高密勒指数面的理论研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Si（112）高密勒指数面的理论研究
	张瑞勤; 吴汲安; 邢益荣
	1993
Source Publication	半导体学报
Volume	14 Issue:9 Pages:527
metadata_83	山东大学;中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:199065
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20113
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张瑞勤,吴汲安,邢益荣. Si（112）高密勒指数面的理论研究[J]. 半导体学报,1993,14(9):527.
APA	张瑞勤,吴汲安,&邢益荣.(1993).Si（112）高密勒指数面的理论研究.半导体学报,14(9),527.
MLA	张瑞勤,et al."Si（112）高密勒指数面的理论研究".半导体学报 14.9(1993):527.

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