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InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析 | |
朱龙德; 李昌; 陈德勇; 熊飞克 | |
1993 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 14Issue:4Pages:208 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:199079 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20103 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 朱龙德,李昌,陈德勇,等. InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析[J]. 半导体学报,1993,14(4):208. |
APA | 朱龙德,李昌,陈德勇,&熊飞克.(1993).InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析.半导体学报,14(4),208. |
MLA | 朱龙德,et al."InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析".半导体学报 14.4(1993):208. |
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