InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析
	朱龙德; 李昌; 陈德勇; 熊飞克
	1993
Source Publication	半导体学报
Volume	14 Issue:4 Pages:208
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:199079
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20103
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	朱龙德,李昌,陈德勇,等. InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析[J]. 半导体学报,1993,14(4):208.
APA	朱龙德,李昌,陈德勇,&熊飞克.(1993).InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析.半导体学报,14(4),208.
MLA	朱龙德,et al."InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析".半导体学报 14.4(1993):208.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库