GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应
	张耀辉; 江德生; 李锋; 吴荣汉; 周均铭; 梅笑冰
	1993
Source Publication	半导体学报
Volume	14 Issue:4 Pages:251
metadata_83	中科院半导体所;中科院物理所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:199084
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:2[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20101
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张耀辉,江德生,李锋,等. GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应[J]. 半导体学报,1993,14(4):251.
APA	张耀辉,江德生,李锋,吴荣汉,周均铭,&梅笑冰.(1993).GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应.半导体学报,14(4),251.
MLA	张耀辉,et al."GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应".半导体学报 14.4(1993):251.

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