SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
硅化物形成条件对Pt硅化物/硅势垒的影响
丁孙安; 许振嘉
1993
Source Publication红外与毫米波学报
Volume12Issue:5Pages:392
Abstract对PtSi/N-Si和PtSi/P-Si两种肖特基势垒的形成条件与势垒高度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性的各种因素,同时指出了获得理想肖特基势垒的退火条件。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:207892
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20077
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
丁孙安,许振嘉. 硅化物形成条件对Pt硅化物/硅势垒的影响[J]. 红外与毫米波学报,1993,12(5):392.
APA 丁孙安,&许振嘉.(1993).硅化物形成条件对Pt硅化物/硅势垒的影响.红外与毫米波学报,12(5),392.
MLA 丁孙安,et al."硅化物形成条件对Pt硅化物/硅势垒的影响".红外与毫米波学报 12.5(1993):392.
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