SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Pt/Si界面反应与肖特基势垒形成的研究
丁孙安; 许振嘉
1993
Source Publication红外与毫米波学报
Volume12Issue:5Pages:385
Abstract详细研究了Pt/Si和Pt硅化物/Si界面的反应性质、原子结构及杂质/缺陷分布,讨论了它们对肖特基势垒的形成、势垒特性和势垒高度的影响。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:207921
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20073
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
丁孙安,许振嘉. Pt/Si界面反应与肖特基势垒形成的研究[J]. 红外与毫米波学报,1993,12(5):385.
APA 丁孙安,&许振嘉.(1993).Pt/Si界面反应与肖特基势垒形成的研究.红外与毫米波学报,12(5),385.
MLA 丁孙安,et al."Pt/Si界面反应与肖特基势垒形成的研究".红外与毫米波学报 12.5(1993):385.
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