SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰
章蓓; 陈孔军; 王舒民; 虞丽生; 郑婉华; 徐俊英; 徐天冰; 朱沛然; 盖秀贞
1993
Source Publication红外与毫米波学报
Volume12Issue:2Pages:127
Abstract分别在InP、GaAs和Si中以7×10<′14>和1×10<′15>cm<′-2>的剂量进行Er离子注入, 并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光(PL)、反射式高等电子衍射和卢瑟福背散射实验研究表明, 上述样品中Er<′3+>离子特征发光的中心波长均出现在1.5μm处, 其中InP的发光峰最强, 而注入损伤的恢复是影响Er<′3+>发光的重要因素之一。卢瑟福背散射分析进一步证实退火后Er原子在Si中向表面迁移, 而在InP中的外扩散较小, 并比较了Er在InP和Si晶格中的占位情况。图7参12
metadata_83北京大学;;中科院半导体所;北京中关村地区测试分析中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家教委基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:207931
Date Available2010-11-23
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Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20067
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
章蓓,陈孔军,王舒民,等. Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰[J]. 红外与毫米波学报,1993,12(2):127.
APA 章蓓.,陈孔军.,王舒民.,虞丽生.,郑婉华.,...&盖秀贞.(1993).Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰.红外与毫米波学报,12(2),127.
MLA 章蓓,et al."Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰".红外与毫米波学报 12.2(1993):127.
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