SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究
何贤昶; 吴自勤; 赵特秀; 吕智慧; 王晓平; 孙国喜
1993
Source Publication物理学报
Volume42Issue:6Pages:954
Abstract利用X射线双晶衍射方法, 对从同一Si(Ⅲ)基片下切割的两块样品, 在不同电解电流密度下, 腐蚀形成的多孔硅层相对于基体硅的晶格畸变进行了分析。这两块样品晶格的畸变明显不同, 其中电流密度较小的样品畸变较大, 其多孔硅层相对于基体硅在垂直和平行于晶体表面的方向上, 晶格有不同程度的膨胀, 搁置一段时间后, 两者晶格渐渐匹配, 但存在着弯曲。两者的(Ⅲ)晶面取向亦有偏差。电流密度较大时多孔硅层较厚, 其双晶反射强度很低, 且弥散地迭加在基体硅反射峰上。
metadata_83上海交通大学;中国科学技术大学;中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:217681
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20053
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
何贤昶,吴自勤,赵特秀,等. 多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究[J]. 物理学报,1993,42(6):954.
APA 何贤昶,吴自勤,赵特秀,吕智慧,王晓平,&孙国喜.(1993).多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究.物理学报,42(6),954.
MLA 何贤昶,et al."多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究".物理学报 42.6(1993):954.
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