Ar＋离子汪入对Ge/GaAs（100）异质结能带偏离影响的XPS研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Ar＋离子汪入对Ge/GaAs（100）异质结能带偏离影响的XPS研究
	徐世红; 刘先明; 朱警生; 麻茂生; 张裕恒; 徐彭寿; 许振嘉
	1993
Source Publication	中国科学技术大学学报
Volume	23 Issue:4 Pages:442
metadata_83	中国科学技术大学;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:222279
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20041
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	徐世红,刘先明,朱警生,等. Ar＋离子汪入对Ge/GaAs（100）异质结能带偏离影响的XPS研究[J]. 中国科学技术大学学报,1993,23(4):442.
APA	徐世红.,刘先明.,朱警生.,麻茂生.,张裕恒.,...&许振嘉.(1993).Ar＋离子汪入对Ge/GaAs（100）异质结能带偏离影响的XPS研究.中国科学技术大学学报,23(4),442.
MLA	徐世红,et al."Ar＋离子汪入对Ge/GaAs（100）异质结能带偏离影响的XPS研究".中国科学技术大学学报 23.4(1993):442.

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