SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
形成优质Si+注入SI-GaAs层的研究
李国辉; 韩德俊; 陈如意; 姬成周; 王策寰; 夏德谦; 朱红清
1994
Source Publication半导体学报
Volume15Issue:1Pages:40
Abstract在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层。该文研究了Si~+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系。结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响。材料或退火过程中As和Ga的原子比[As]/[Ga]稍大时,注入层中电激活率和迁移率都高。实验还证明,~(29)Si~+注入时BF~+束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降。指出注入时剂量不宜过大,白光快速退火时温度不宜过高,一般在960℃ 5秒退火为佳。
metadata_83北京师范大学低能核物理所;中科院半导体所;机电部第55所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:230032
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20035
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李国辉,韩德俊,陈如意,等. 形成优质Si+注入SI-GaAs层的研究[J]. 半导体学报,1994,15(1):40.
APA 李国辉.,韩德俊.,陈如意.,姬成周.,王策寰.,...&朱红清.(1994).形成优质Si+注入SI-GaAs层的研究.半导体学报,15(1),40.
MLA 李国辉,et al."形成优质Si+注入SI-GaAs层的研究".半导体学报 15.1(1994):40.
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