氢等离子体对（Pt及其硅化物）/Si界面的杂质/缺陷态和势垒的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	氢等离子体对（Pt及其硅化物）/Si界面的杂质/缺陷态和势垒的影响
	丁孙安; 许振嘉
	1994
Source Publication	半导体学报
Volume	15 Issue:6 Pages:367
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:230049
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20031
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	丁孙安,许振嘉. 氢等离子体对（Pt及其硅化物）/Si界面的杂质/缺陷态和势垒的影响[J]. 半导体学报,1994,15(6):367.
APA	丁孙安,&许振嘉.(1994).氢等离子体对（Pt及其硅化物）/Si界面的杂质/缺陷态和势垒的影响.半导体学报,15(6),367.
MLA	丁孙安,et al."氢等离子体对（Pt及其硅化物）/Si界面的杂质/缺陷态和势垒的影响".半导体学报 15.6(1994):367.

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