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进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究 | |
陈克铭; 李国花; 陈朗星; 朱燕 | |
1994 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 15Issue:6Pages:383 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 微电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:230065 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20023 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈克铭,李国花,陈朗星,等. 进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究[J]. 半导体学报,1994,15(6):383. |
APA | 陈克铭,李国花,陈朗星,&朱燕.(1994).进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究.半导体学报,15(6),383. |
MLA | 陈克铭,et al."进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究".半导体学报 15.6(1994):383. |
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