进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究
	陈克铭; 李国花; 陈朗星; 朱燕
	1994
Source Publication	半导体学报
Volume	15 Issue:6 Pages:383
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:230065
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20023
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈克铭,李国花,陈朗星,等. 进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究[J]. 半导体学报,1994,15(6):383.
APA	陈克铭,李国花,陈朗星,&朱燕.(1994).进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究.半导体学报,15(6),383.
MLA	陈克铭,et al."进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究".半导体学报 15.6(1994):383.

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