SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器
钟战天; 周小川; 杜全钢; 周鼎新; 吴荣汉; 王森; 李承芳; 於美云; 徐俊英; 朱勤生
1994
Source Publication半导体学报
Volume15Issue:3Pages:188
Abstract报道所研制的高灵敏度、低暗电流的 GaAs量子阱长波长红外探测器的制备和性能。探测器具有50个GaAs量子阱和Al_(0.28)Ga_(0.72)As势垒,器件制成直径为320μm的台面型式单管。探测器的主要性能──响应率和探测率与偏置电流和工作温度关系很大。 通过材料结构的精心设计和器件工艺的改进使探测器的性能进一步提高: 探测峰值波长为9.2μm,工作温度为77K时,峰值电压响应率为9.7×10~5V/W,峰值探测率超过1×10~(11)cm。((Hz)~(1/2))/W,暗电流小于0.1μA。
metadata_83中科院半导体所;中科院;航空航天部第803所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:230078
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20019
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
钟战天,周小川,杜全钢,等. 高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器[J]. 半导体学报,1994,15(3):188.
APA 钟战天.,周小川.,杜全钢.,周鼎新.,吴荣汉.,...&朱勤生.(1994).高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器.半导体学报,15(3),188.
MLA 钟战天,et al."高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器".半导体学报 15.3(1994):188.
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