SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Si NIPI结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁
罗昌平; 江德生; 李锋; 庄蔚华; 李玉璋
1994
Source Publication半导体学报
Volume15Issue:2Pages:75
Abstract对不同光照条件下Si NIPI结构的光伏效应进行了研究,并在正面光照时作了外加He-Ne激光连续照射前后的对比实验。结果表明, Si NIPI结构中存在Brum等预言的因光生载流子空间分离而产生的光伏效应,并且进一步从实验上证实了NIPI结构光伏极性是空间固定的。对外加激光连续照射前后结果的分析表明,Si NIPI结构的光伏效应中,实空间中的间接跃迁如电子空穴子带间跃迁不起主要作用,而主要取决于实空间中与浅杂质有关的直接或准直接跃迁。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:230109
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20005
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
罗昌平,江德生,李锋,等. Si NIPI结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁[J]. 半导体学报,1994,15(2):75.
APA 罗昌平,江德生,李锋,庄蔚华,&李玉璋.(1994).Si NIPI结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁.半导体学报,15(2),75.
MLA 罗昌平,et al."Si NIPI结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁".半导体学报 15.2(1994):75.
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