SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究
杜全钢; 钟战天; 周小川; 牟善明; 徐贵昌; 蒋健; 段海龙; 王昌衡
1994
Source Publication半导体学报
Volume15Issue:2Pages:98
Abstract报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能。这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,阱内n型掺杂,具有50个周期。利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(φ2英寸)均匀(厚度Δt_(max)/t<=3 precent,组分Δx_(max)/x<=3.4 %,掺杂浓度Δn_(max)/n<=3 %,椭圆缺陷<=300cm~(-2))的外延材料。分析了暗电流的成因, 通过加厚势垒(L_b>=300A)、控制掺杂(n<=1×10~(18)cm~(-3))、精确设计子带结构, 将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善。由此得到了高质量的多量子阱红外探测器材料。
metadata_83中科院物理所;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:230139
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19987
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杜全钢,钟战天,周小川,等. GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究[J]. 半导体学报,1994,15(2):98.
APA 杜全钢.,钟战天.,周小川.,牟善明.,徐贵昌.,...&王昌衡.(1994).GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究.半导体学报,15(2),98.
MLA 杜全钢,et al."GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究".半导体学报 15.2(1994):98.
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