GaAs-AlxGa（1-x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs-AlxGa（1-x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应
	程文超; 朱景兵; 李月霞; 宋爱民; 郑厚植
	1994
Source Publication	半导体学报
Volume	15 Issue:8 Pages:577
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家攀登计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19985
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	程文超,朱景兵,李月霞,等. GaAs-AlxGa（1-x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应[J]. 半导体学报,1994,15(8):577.
APA	程文超,朱景兵,李月霞,宋爱民,&郑厚植.(1994).GaAs-AlxGa（1-x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应.半导体学报,15(8),577.
MLA	程文超,et al."GaAs-AlxGa（1-x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应".半导体学报 15.8(1994):577.

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