CoSi2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅材料

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	CoSi2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅材料
	金高龙; 陈维德; 许振嘉
	1994
Source Publication	半导体学报
Volume	15 Issue:8 Pages:518
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19971
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	金高龙,陈维德,许振嘉. CoSi2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅材料[J]. 半导体学报,1994,15(8):518.
APA	金高龙,陈维德,&许振嘉.(1994).CoSi2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅材料.半导体学报,15(8),518.
MLA	金高龙,et al."CoSi2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅材料".半导体学报 15.8(1994):518.

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