SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究
王德煌; 王威礼; 李桂棠; 庄婉如; 段树坤
1994
Source Publication北京大学学报. 自然科学版
Volume30Issue:5Pages:575
Abstract报道MOVPE技术生长不掺杂GaAs膜,在He-Ne激光场作用下,其近红外光吸收系数变化的实验结果
metadata_83北京大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:230289
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19961
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王德煌,王威礼,李桂棠,等. 不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究[J]. 北京大学学报. 自然科学版,1994,30(5):575.
APA 王德煌,王威礼,李桂棠,庄婉如,&段树坤.(1994).不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究.北京大学学报. 自然科学版,30(5),575.
MLA 王德煌,et al."不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究".北京大学学报. 自然科学版 30.5(1994):575.
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