SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究
王小军; 郑联喜; 王启明; 庄婉如; 黄美纯; 郑婉华
1994
Source Publication发光学报
Volume15Issue:3Pages:190
Abstract利用MOCVD方法得到了高质量的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,4.3nm量子阱10K PL FWHM仅为3.49meV. 通过对样品荧光谱在变激发强度,变温时的峰位,峰形研究,发现,合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因,因而是MOCVD生长中应该首先解决的问题,实验结果还表明, 在讨论低温PL谱形时,必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程.
metadata_83中科院半导体所;国家光电子工艺中心;厦门大学物理系
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:234882
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19955
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王小军,郑联喜,王启明,等. MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究[J]. 发光学报,1994,15(3):190.
APA 王小军,郑联喜,王启明,庄婉如,黄美纯,&郑婉华.(1994).MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究.发光学报,15(3),190.
MLA 王小军,et al."MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究".发光学报 15.3(1994):190.
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