SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
双量子阱结构中电子共振隧穿的相干模型
金世荣; 罗晋生; 徐仲英
1994
Source Publication红外与毫米波学报
Volume13Issue:5Pages:333
Abstract提出了一种新的计算双量子阱结构中电子共振隧穿时间的相干模型,理论计算与报道的实验结果基本一致。
metadata_83西安交通大学微电子研究室;中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:239670
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19953
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
金世荣,罗晋生,徐仲英. 双量子阱结构中电子共振隧穿的相干模型[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(5):333.
APA 金世荣,罗晋生,&徐仲英.(1994).双量子阱结构中电子共振隧穿的相干模型.红外与毫米波学报,13(5),333.
MLA 金世荣,et al."双量子阱结构中电子共振隧穿的相干模型".红外与毫米波学报 13.5(1994):333.
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