利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度
	宋爱民; 郑厚植; 杨富华; 李月霞; 李承芳
	1994
Source Publication	红外与毫米波学报
Volume	13 Issue:3 Pages:165
Abstract	利用双势垒结构磁电容曲线，测量了垂直磁场下二维电子态密度。采用高斯型朗道态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线，与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好，由此得到朗道能级模型态密度。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家攀登计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:239679
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19949
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	宋爱民,郑厚植,杨富华,等. 利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(3):165.
APA	宋爱民,郑厚植,杨富华,李月霞,&李承芳.(1994).利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度.红外与毫米波学报,13(3),165.
MLA	宋爱民,et al."利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度".红外与毫米波学报 13.3(1994):165.

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