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利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度 | |
宋爱民; 郑厚植; 杨富华; 李月霞; 李承芳 | |
1994 | |
Source Publication | 红外与毫米波学报
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Volume | 13Issue:3Pages:165 |
Abstract | 利用双势垒结构磁电容曲线,测量了垂直磁场下二维电子态密度。采用高斯型朗道 态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线,与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好,由此得到朗道能级模型态密度。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家攀登计划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:239679 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19949 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 宋爱民,郑厚植,杨富华,等. 利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(3):165. |
APA | 宋爱民,郑厚植,杨富华,李月霞,&李承芳.(1994).利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度.红外与毫米波学报,13(3),165. |
MLA | 宋爱民,et al."利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度".红外与毫米波学报 13.3(1994):165. |
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