SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度
宋爱民; 郑厚植; 杨富华; 李月霞; 李承芳
1994
Source Publication红外与毫米波学报
Volume13Issue:3Pages:165
Abstract利用双势垒结构磁电容曲线,测量了垂直磁场下二维电子态密度。采用高斯型朗道 态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线,与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好,由此得到朗道能级模型态密度。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家攀登计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:239679
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19949
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
宋爱民,郑厚植,杨富华,等. 利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(3):165.
APA 宋爱民,郑厚植,杨富华,李月霞,&李承芳.(1994).利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度.红外与毫米波学报,13(3),165.
MLA 宋爱民,et al."利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度".红外与毫米波学报 13.3(1994):165.
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