SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
硅基低维结构材料
夏建白
1994
Source Publication红外与毫米波学报
Volume13Issue:1Pages:1
Abstract综述了近年来在Si/Ge超晶格电子态和光学性质、调制掺杂Si/Ge_xSi_(1-x)异质结构 输运性质以及多孔硅发光机理等方面的研究进展。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:239688
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19945
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
夏建白. 硅基低维结构材料[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(1):1.
APA 夏建白.(1994).硅基低维结构材料.红外与毫米波学报,13(1),1.
MLA 夏建白."硅基低维结构材料".红外与毫米波学报 13.1(1994):1.
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