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超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性 | |
封松林; 周洁; 卢励吾 | |
1994 | |
Source Publication | 红外与毫米波学报
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Volume | 13Issue:3Pages:161 |
Abstract | 用深能级瞬态谱(DLTS)系统地研究了GaAs(50A)/GaAlAs(50A)超晶格中的电子辐照缺陷,证实其亚稳态特性的存在,对其恢复温度、转变条件进行了研究,指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:239701 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19943 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 封松林,周洁,卢励吾. 超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(3):161. |
APA | 封松林,周洁,&卢励吾.(1994).超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性.红外与毫米波学报,13(3),161. |
MLA | 封松林,et al."超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性".红外与毫米波学报 13.3(1994):161. |
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