SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性
封松林; 周洁; 卢励吾
1994
Source Publication红外与毫米波学报
Volume13Issue:3Pages:161
Abstract用深能级瞬态谱(DLTS)系统地研究了GaAs(50A)/GaAlAs(50A)超晶格中的电子辐照缺陷,证实其亚稳态特性的存在,对其恢复温度、转变条件进行了研究,指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:239701
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19943
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
封松林,周洁,卢励吾. 超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(3):161.
APA 封松林,周洁,&卢励吾.(1994).超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性.红外与毫米波学报,13(3),161.
MLA 封松林,et al."超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性".红外与毫米波学报 13.3(1994):161.
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