超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性
	封松林; 周洁; 卢励吾
	1994
Source Publication	红外与毫米波学报
Volume	13 Issue:3 Pages:161
Abstract	用深能级瞬态谱(DLTS)系统地研究了GaAs(50A)/GaAlAs(50A)超晶格中的电子辐照缺陷,证实其亚稳态特性的存在,对其恢复温度、转变条件进行了研究,指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:239701
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19943
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	封松林,周洁,卢励吾. 超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(3):161.
APA	封松林,周洁,&卢励吾.(1994).超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性.红外与毫米波学报,13(3),161.
MLA	封松林,et al."超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性".红外与毫米波学报 13.3(1994):161.

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