InxGa（1-x）As/AlyGa（1-y）As多量子阱的高压光致发光研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InxGa（1-x）As/AlyGa（1-y）As多量子阱的高压光致发光研究
	刘振先; 李国华; 韩和相; 汪兆平
	1994
Source Publication	红外与毫米波学报
Volume	13 Issue:1 Pages:45
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家教委基金,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19941
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘振先,李国华,韩和相,等. InxGa（1-x）As/AlyGa（1-y）As多量子阱的高压光致发光研究[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(1):45.
APA	刘振先,李国华,韩和相,&汪兆平.(1994).InxGa（1-x）As/AlyGa（1-y）As多量子阱的高压光致发光研究.红外与毫米波学报,13(1),45.
MLA	刘振先,et al."InxGa（1-x）As/AlyGa（1-y）As多量子阱的高压光致发光研究".红外与毫米波学报 13.1(1994):45.

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