Hg（1-x）CdxTe深缺陷能级研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Hg（1-x）CdxTe深缺陷能级研究
	周洁; 封松林; 卢励吾; 司承才; 李言谨; 胡晓宁
	1994
Source Publication	红外与毫米波学报
Volume	13 Issue:5 Pages:359
metadata_83	中科院半导体所;中国科学院;中科院上海技术物理所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19937
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	周洁,封松林,卢励吾,等. Hg（1-x）CdxTe深缺陷能级研究[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(5):359.
APA	周洁,封松林,卢励吾,司承才,李言谨,&胡晓宁.(1994).Hg（1-x）CdxTe深缺陷能级研究.红外与毫米波学报,13(5),359.
MLA	周洁,et al."Hg（1-x）CdxTe深缺陷能级研究".红外与毫米波学报 13.5(1994):359.

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